东京-- (美国商业资讯) --东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了一款面向工业应用的碳化硅(SiC) MOSFET模块——MG800FXF2YMS3，该模块集成了新开发的双通道SiC MOSFET芯片，额定电压和电流分别为3300V和800A。该产品将于2021年5月投入量产。
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为达到175℃的通道温度，这款新产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV（智能柔性封装低电压）封装。新模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。
应用
- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 工业电机控制设备
特性
- 漏源额定电压：VDSS=3300V
- 漏极额定电流：ID=800A双通道
- 宽通道温度范围：Tch=175°C
-
低损耗：
Eon=250mJ （典型值）
Eoff=240mJ （典型值）
VDS(on)sense=1.6V （典型值） - 低杂散电感：Ls=12nH （典型值）
- 高功率密度的小型iXPLV封装
主要规格
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（除非另有说明， Tc=25°C时） |
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器件型号 |
MG800FXF2YMS3 |
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封装 |
iXPLV |
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额定 最大 绝对值 |
漏源电压VDSS (V) |
3300 |
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栅源电压VGSS (V) |
+25/-10 |
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漏极电流(DC) ID (A) |
800 |
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漏极电流（脉冲）IDP (A) |
1600 |
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通道温度Tch (°C) |
175 |
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隔离电压Visol (Vrms) |
6000 |
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电气 特性 |
漏源电压导通电压（感应） VDS(on)sense典型值(V) |
VGS= +20V， ID=800A 时 |
1.6 |
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源漏电压导通电压（感应） VSD(on)sense典型值(V) |
VGS= +20V， Is=800A时 |
1.5 |
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源漏电压关断电压（感应） VSD(off)sense典型值(V) |
VGS= -6V， Is=800A 时 |
2.3 |
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杂散电感模块LSPN典型值(nH) |
12 |
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导通开关损耗 Eon典型值(mJ) |
VDD=1800V， ID=800A， Tch=150°C时 |
250 |
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关断开关损耗 Eoff典型值(mJ) |
VDD=1800V， ID=800A， Tch=150°C时 |
240 |
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如需了解有关新产品的更多信息，请点击以下链接。
MG800FXF2YMS3
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SiC功率器件
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来，公司已跻身领先的通用设备公司之列，并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
公司在全球各地的2.4万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。公司期待在目前超过7500亿日元（68亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全人类创造更加美好的未来。
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东芝：MG800FXF2YMS3，一款碳化硅(SiC) MOSFET模块，适用于轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用。（图示：美国商业资讯）
